[发明专利]用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件

摘要

说明一种用于制造光电子半导体器件的方法，具有如下步骤：‑提供载体（1）；‑将至少一个光电子半导体芯片（2）布置在载体（1）的上侧（1a）；‑用模塑体（3）改造至少一个光电子半导体芯片（2），其中模塑体（3）覆盖至少一个光电子半导体芯片（2）的所有侧面（2c）并且其中至少一个半导体芯片（2）的上侧（2a）处的背向载体（1）的表面和/或底侧（2b）处的朝向载体的表面保持未被模塑体（3）覆盖或者被暴露；‑去除载体（1）。

主权项

光电子半导体器件，具有‑ 光电子半导体芯片（2），其包括侧面（2c）、光电子半导体芯片（2）的上侧（2a）处的外面表以及光电子半导体芯片（2）的底侧（2b）处的外表面，‑ 模塑体（3），其包括模塑体（3）的上侧（3a）处的外表面和模塑体（3）的底侧（3b）处的外表面，‑ 至少一个贯通接触部（6），其包括导电材料，和‑ 导电连接（7），其导电地与半导体芯片（2）和贯通接触部（6）连接，其中‑ 半导体芯片（2）的侧面（2c）被模塑体（3）覆盖，并且‑ 光电子半导体芯片（2）的上侧（2a）处的外表面和/或光电子半导体芯片（2）的底侧（2b）处的外表面完全不被模塑体（3）覆盖。