[发明专利]一种发光二极管有效
| 申请号： | 201610098089.9 | 申请日： | 2016-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN105514239B | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 蓝永凌;张家宏;林兓兓;黄文宾 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种发光二极管，其依次包括N型层、量子阱层、P型层，其特征在于：于所述量子阱层一侧或者两侧插入一缓冲层，所述缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层，且所述第一缓冲层的晶格常数与第二缓冲层的晶格常数相同。本发明通过设计晶格常数相同的第一缓冲层和第二缓冲层，使缓冲层内无极化效应，进而改善N型层与量子阱层、P型层与量子阱层之间的晶格失配，减少量子阱层的极化效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，依次包括N型层、量子阱层、P型层，其特征在于：于所述量子阱层一侧或者两侧插入一缓冲层，所述缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层，所述缓冲层为含In氮化物，所述第一缓冲层的In组份为15%~25%，所述第二缓冲层的In组份为14%~35%，调节第一缓冲层和第二缓冲层中In组份浓度，使所述第一缓冲层的晶格常数与所述第二缓冲层的晶格常数相同，缓冲层内无极化效应。
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