[发明专利]图形化薄膜及薄膜晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201610098306.4 | 申请日： | 2016-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN105576039A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 兰林锋;李远;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 赵蕊红 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种图形化薄膜的制备方法及薄膜晶体管。图形化薄膜的制备方法包括如下步骤，（a）在待成膜的初体上涂布疏水层；（b）使用掩膜板对疏水层进行等离子体刻蚀得到图形化疏水层；（c）将预先制备的薄膜前驱体溶液涂布于图形化疏水层表面，得到初始涂覆薄膜结构；（d）将初始涂覆薄膜结构中的疏水层去除，然后对涂覆的薄膜进行退火处理得到最终的图形化薄膜。本发明采用疏水层的特性进行图形化薄膜制备，制备工艺简单，操作方便，适合于柔性衬底。本发明的薄膜晶体管，采用上述图形化薄膜构成其一个或者多个功能层，具有制备工艺简单，操作方便，适合于柔性衬底的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 薄膜 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种图形化薄膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤，（a）在待成膜的初体上涂布疏水层；（b）使用掩膜板对疏水层进行等离子体刻蚀得到图形化疏水层；（c）将预先制备的薄膜前驱体溶液涂布于图形化疏水层表面，得到初始涂覆薄膜结构（d）将初始涂覆薄膜结构中的疏水层去除，然后进行退火处理得到最终的图形化薄膜。
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