[发明专利]MOS管参数退化的检测电路有效

专利信息
申请号: 201610098556.8 申请日: 2016-02-23
公开(公告)号: CN105759190B 公开(公告)日: 2018-09-28
发明(设计)人: 雷登云;陈义强;侯波;何春华;黄云;恩云飞 申请(专利权)人: 工业和信息化部电子第五研究所
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 黄晓庆;陶品德
地址: 510610 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种MOS管参数退化的检测电路,包括应力测试电路、标准时钟输入电路、采样电路、采样计数器、时钟计数器、控制器和处理器;在MOS管参数退化的检测电路中,应力测试电路输出表征应力测试电路中的MOS管参数的测试信号,采样电路根据测试信号获取采样数据,采样计数器根据采样数据进行计数;标准时钟输入电路为采样电路和时钟计数器提供时钟信号,时钟计数器对时钟信号进行计数,处理器根据采样数据计数值和时钟信号计数值进行计算,获取MOS管参数退化的检测值。检测电路根据其组成能够完成MOS管参数退化相关数值的检测,无需外部设备辅助,可以有效提高检测电路的适用范围,满足在线监测的要求。
搜索关键词: mos 参数 退化 检测 电路
【主权项】:
1.一种MOS管参数退化的检测电路,其特征在于,包括应力测试电路、标准时钟输入电路、采样电路、采样计数器、时钟计数器和处理器;所述应力测试电路、所述标准时钟输入电路分别与所述采样电路连接,所述采样电路和所述采样计数器连接,所述采样计数器与所述处理器连接;所述标准时钟输入电路还与所述时钟计数器连接,所述时钟计数器与所述处理器连接;所述应力测试电路包括MOS管,所述应力测试电路输出表征所述MOS管参数的测试信号,所述采样电路对所述测试信号进行采样,获取采样数据,所述采样计数器对所述采样数据进行计数,获取采样数据计数值;所述标准时钟输入电路为所述采样电路和所述时钟计数器提供时钟信号,所述时钟计数器对提供给所述时钟计数器的时钟信号进行计数,获取时钟信号计数值,所述处理器根据所述采样数据计数值和所述时钟信号计数值获取MOS管参数退化的检测值。
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