[发明专利]半导体器件及其晶圆级封装有效
申请号: | 201610099033.5 | 申请日: | 2016-02-23 |
公开(公告)号: | CN105990312B | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
发明(设计)人: | 许仕逸;谢东宪;周哲雅 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522;H01L23/31 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体器件,包括集成电路裸晶、钝化层和重布线层结构。集成电路裸晶具有主动表面,在主动表面上设有至少一第一片上金属垫和第二片上金属垫,第一片上金属垫邻近第二片上金属垫。钝化层位于主动表面上,且覆盖第一片上金属垫和第二片上金属垫。重布线层结构位于钝化层上。重布线层结构包括第一着垫,位于第一片上金属垫的上方;第一导孔,位于重布线层结构中,电连接第一着垫与第一片上金属垫;第二着垫,位于第二片上金属垫的上方;第二导孔,位于重布线层结构中,电连接第二着垫与第二片上金属垫;以及至少三条线路,设于重布线层结构上,并通过第一着垫与第二着垫之间的空间。本发明还提供一种晶圆级封装,可提高信号完整性。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 晶圆级 封装 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,其特征在于,包括:集成电路裸晶,具有主动表面,在该主动表面上设有至少一第一片上金属垫和第二片上金属垫,且该第一片上金属垫邻近该第二片上金属垫;钝化层,位于该主动表面上,且覆盖该第一片上金属垫以及该第二片上金属垫;以及重布线层结构,位于该钝化层上,该重布线层结构包括:第一着垫,位于该第一片上金属垫的上方;第一导孔,位于该重布线层结构中,电连接该第一着垫与该第一片上金属垫;第二着垫,位于该第二片上金属垫的上方;第二导孔,位于该重布线层结构中,电连接该第二着垫与该第二片上金属垫;以及至少三条线路,位于该重布线层结构上,并通过该第一着垫与该第二着垫之间的空间;其中,该至少三条线路包括两条中介参考线路G以及三条高速信号线路S,其中,该两条中介参考线路G介于该三条高速信号线路S之间,从而构成一SGSGS重布线层线路组态。
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