[发明专利]耐压氮化镓肖特基二极管的制作方法

摘要

本发明提供一种耐压氮化镓肖特基二极管的制作方法，该方法首先通过在器件的表面上制作氮化镓肖特基二极管的阳极和阴极；并在器件的表面上依次淀积第一PETEOS氧化层和第一氮化硅层；再通过对部分阳极表面区域和部分阴极表面区域上方的第一PETEOS氧化层和第一氮化硅层进行刻蚀，生成第一阳极通孔和第一阴极通孔；最后通过在器件的表面上淀积一层导通金属，并对所述导通金属进行刻蚀，保留位于第一阳极通孔和第一阴极通孔内的金属，形成耐压氮化镓肖特基二极管器件。降低了所述器件表面的粗糙程度，减少了器件表面吸附的杂质和静电，缓解了器件表面漏电，增强了器件的耐压性能。

主权项

一种耐压氮化镓肖特基二极管的制作方法，其特征在于，包括：在器件的表面上制作氮化镓肖特基二极管的阳极和阴极，其中，所述器件包括衬底以及依次生长在所述衬底表面上的GaN缓冲层和AlGaN势垒层；在器件的表面上依次淀积第一PETEOS氧化层和第一氮化硅层；对部分阳极表面区域和部分阴极表面区域上方的所述第一PETEOS氧化层和所述第一氮化硅层进行刻蚀，生成第一阳极通孔和第一阴极通孔；在器件的表面上淀积一层导通金属，并对所述导通金属进行刻蚀，保留位于所述第一阳极通孔和所述第一阴极通孔内的导通金属。