[发明专利]氮化镓肖特基二极管的阳极制作方法

摘要

本发明实施例提供一种氮化镓肖特基二极管的阳极制作方法。该方法包括在硅衬底的表面上依次生长氮化镓GaN介质层、氮化铝镓AlGaN介质层、氮化硅Si3N4介质层和氧化层；蚀掉氧化层和Si3N4介质层形成阴极接触孔；沉积第一金属层，并对所述第一金属层进行光刻、刻蚀形成阴极；湿法腐蚀AlGaN介质层形成阳极接触孔；沉积第二金属层，并对所述第二金属层进行光刻、刻蚀形成阳极。本发明实施例采用过氧化氢和氢氧化钾的混合溶液刻蚀AlGaN层形成阳极接触孔，减小了刻蚀对沟道表面造成的损伤，提高了氮化镓肖特基二极管的性能。

主权项

一种氮化镓肖特基二极管的阳极制作方法，其特征在于，包括：在硅衬底的表面上依次生长氮化镓GaN介质层、氮化铝镓AlGaN介质层、氮化硅Si3N4介质层和氧化层；沿着所述氧化层的第一区域向下刻蚀直到露出与所述第一区域对应的AlGaN介质层的上表面，被刻蚀掉的与所述第一区域对应的氧化层和Si3N4介质层形成阴极接触孔；在露出的AlGaN介质层的上表面和剩余的氧化层上表面沉积第一金属层，并对所述第一金属层进行光刻、刻蚀形成阴极；沿着所述氧化层的第二区域向下刻蚀直到露出与所述第二区域对应的AlGaN介质层的上表面；沿着与所述第二区域对应的AlGaN介质层的上表面向下湿法腐蚀直到露出所述GaN介质层的上表面，被刻蚀掉的与所述第二区域对应的氧化层、Si3N4介质层和AlGaN介质层形成阳极接触孔；在露出的所述GaN介质层的上表面和剩余的氧化层上表面沉积第二金属层，并对所述第二金属层进行光刻、刻蚀形成阳极。