[发明专利]射频三极管的制备方法和射频三极管在审

专利信息
申请号: 201610099906.2 申请日: 2016-02-23
公开(公告)号: CN107104041A 公开(公告)日: 2017-08-29
发明(设计)人: 马万里 申请(专利权)人: 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
主分类号: H01L21/285 分类号: H01L21/285;H01L21/308;H01L21/331;H01L29/735
代理公司: 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙)11343 代理人: 尚志峰,汪海屏
地址: 100871 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种射频三极管的制备方法和射频三极管,其中,制备方法包括在衬底上依次形成外延层、氧化层和图形化的氮化硅层;通过热氧化工艺处理外延层以形成场氧化层;去除氮化硅层;在指定区域上形成图形化的氧化硅掩膜;对第一多晶硅层进行第一次P型离子注入;形成氮化硅介质层;刻蚀氧化硅掩膜层上方的第一多晶硅层和氮化硅介质层;通过第二次P型离子注入工艺依次形成第二离子掺杂区;形成侧墙结构;在侧墙结构和第二离子掺杂区上方形成第二多晶硅层;对第二多晶硅层进行离子注入以形成第三离子掺杂区;在形成第三离子掺杂区的衬底上形成金属电极。通过本发明技术方案,避免了硅栅过刻对外延层的损耗,提升了器件可靠性。
搜索关键词: 射频 三极管 制备 方法
【主权项】:
一种射频三极管的制备方法,其特征在于,包括:在衬底上依次形成外延层、氧化层和图形化的氮化硅层;以所述图形化的氮化硅层为掩蔽,通过热氧化工艺处理所述外延层以形成场氧化层;去除所述氮化硅层,以暴露出所述外延层的指定区域为止;在所述指定区域上形成图形化的氧化硅掩膜;在刻蚀所述场氧化层的衬底上依次形成第一多晶硅层,并对第一多晶硅层进行第一次P型离子注入,以形成第一离子掺杂区;在完成离子注入的第一多晶硅层上形成氮化硅介质层;刻蚀所述氧化硅掩膜层上方的第一多晶硅层和氮化硅介质层,以形成注入窗口;在所述注入窗口下方的外延层中,通过第二次P型离子注入工艺依次形成第二离子掺杂区;在所述注入窗口中形成侧墙结构;在所述侧墙结构和所述第二离子掺杂区上方形成第二多晶硅层;对所述第二多晶硅层进行离子注入以形成第三离子掺杂区;在形成所述第三离子掺杂区的衬底上形成金属电极,以完成所述射频三极管的制备。
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