[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201610100277.0 | 申请日： | 2016-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN105576098A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 河源市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 李健富 |
| 地址： | 517000 广东省河源市高新技术开*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓基发光二极管外延结构及其制备方法，该外延结构自下至上依次包括：衬底、形核层、缓冲层、N型GaN层、多量子阱有源区、电子阻挡层、P型III族氮化物叠层；所述P型III族氮化物叠层由P型GaN层和P型InxGa1-xN层依次交替层叠而成，x＝0.01-0.3。本发明的P型III族氮化物叠层在LED的P型区域的能带中引入异质结，在价带处构建一个低势垒的尖锥状突起，能够聚集空穴，从而增强空穴向多量子阱有源区的注入，使得量子阱内空穴浓度提升，有利于显著提高LED的发光功率。同时，P型III族氮化物叠层的引入不会对LED的导电性能带来负面影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基发光二极管外延结构，其特征在于，自下至上依次包括：衬底、形核层、缓冲层、N型GaN层、多量子阱有源区、电子阻挡层、P型III族氮化物叠层；所述P型III族氮化物叠层由P型GaN层和P型InxGa1‑xN层依次交替层叠而成，其中，x＝0.01‑0.3。
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