[发明专利]一种提高类金刚石薄膜抗激光损伤能力的方法及其装置有效
| 申请号： | 201610100864.X | 申请日： | 2016-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN105734523B | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 吴慎将;苏俊宏;李党娟;徐均琪;葛锦蔓;汪桂霞;时凯 | 申请（专利权）人： | 西安工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/58 | 分类号： | C23C14/58;C23C16/56 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 黄秦芳 |
| 地址： | 710032 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高类金刚石薄膜抗激光损伤能力的方法及其装置。本发明的目的是要在不影响DLC薄膜和介质薄膜的任何光学常数和物理性能的基础上，有效提高DLC薄膜和介质薄膜薄膜的抗激光损伤能力。所提供的技术方案是：一种提高类金刚石薄膜抗激光损伤能力的方法，是在DLC及介质薄膜的表面形成具有闭环的磁通路，且使闭环的磁通量具有最大的梯度。所提供的装置包括导磁外框，在外框内设置有一对永磁铁，第一永磁铁和第二永磁铁，第一永磁铁和第二永磁铁的距离可调。利用本发明的方法，对于DLC薄膜可以将损伤阈值从0.57 J/cm2提高到1.23 J/cm2。对于介质薄膜，可以使激光损伤面积减少50%左右。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 金刚石 薄膜 激光 损伤 能力 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1.一种提高类金刚石薄膜抗激光损伤能力的方法，是在DLC及介质薄膜的表面形成具有闭环的磁通路，使得薄膜表面的磁场的梯度最大；所述薄膜是DLC薄膜时，其磁场强度为0.8‑1T；所述薄膜是介质薄膜时，其磁场强度为1.1‑1.2T。
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