[发明专利]一种纳米软膜光刻制备微纳PSS的方法

摘要

本发明涉及一种纳米软膜光刻制备微纳PSS的方法，步骤为：均胶：首先，取一蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底基层上均匀涂上一层光刻胶；曝光：然后，将蓝宝石衬底移至软膜的下方，将软膜与蓝宝石衬底微接触，并进行曝光处理；显影：曝光后的蓝宝石衬底从软膜下方移开，去掉被曝光的光刻胶，留下未曝光部分，实现图形转移；刻蚀：对光刻胶未曝光部分进行ICP刻蚀处理，从而制备出微纳PSS。本发明的优点在于：利用本发明进行制备时，软膜只需与光刻胶轻微接触，有效的减少了光刻胶对软膜的污染，相应的也提高了软膜的使用寿命，无需使用步进式曝光，整个晶片一次成型，适用于大尺寸PSS的制备，效率更高。

主权项

一种纳米软膜光刻制备微纳PSS的方法，其特征在于：包括下述步骤：a）均胶：首先，取一蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底基层上均匀涂上一层光刻胶,光刻胶的厚度在0.9um‑1.1um之间；b）曝光：然后，将蓝宝石衬底移至软膜的下方，所述软膜包括一软膜主体，该软膜主体呈长方体状，在软膜主体的长轴方向的一侧设置有梳齿组；所述梳齿组由若干并列等距分布的梳齿共同构成，在相邻的两个梳齿所形成的凹槽的内壁上还设置有高反射金属层，将软膜与蓝宝石衬底微接触,即软膜与光刻胶之间的距离控制在200nm‑500nm之间，并进行曝光处理，采用紫外线进行曝光,曝光的时间为5‑10s,曝光能量为100mJ/cm²；c）显影：曝光后的蓝宝石衬底从软膜下方移开,并用显影液显影,利用显影液与曝光部分的光刻胶反应，去掉被曝光的光刻胶，留下未曝光部分，实现图形转移；d）刻蚀：对光刻胶未曝光部分进行ICP刻蚀处理，从而制备出微纳PSS。