[发明专利]一种半导体超结功率器件在审
| 申请号： | 201610104097.X | 申请日： | 2016-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN107123674A | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 刘磊;王鹏飞;袁愿林;龚轶 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司32200 | 代理人： | 吴树山 |
| 地址： | 215021 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体功率器件技术领域，特别是涉及一种半导体超结功率器件，包括终端区和元胞区，所述元胞区包括衬底外延层内的漏区、JFET区和多个垂直平行的柱状掺杂区，所述柱状掺杂区的顶部分别设有体区，所述体区内设有源区,所述体区和JFET区之上设有栅氧化层，所述栅氧化层之上设有栅极,所述相邻的柱状掺杂区之间设有两种或两种以上不同宽度的间距，并且所述体区设有两种或两种以上的不同宽度。采用不同间距的柱状掺杂区结构和不同宽度的体区结构协同作用，可以在超结功率器件中引入更多的缓变，使栅漏电容突变变得更加平滑，降低由栅漏电容突变引起的栅极震荡。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 功率 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体超结功率器件，包括终端区和元胞区，所述元胞区包括衬底外延层内的漏区、JFET区和多个垂直平行的柱状掺杂区，所述柱状掺杂区的顶部分别设有体区，所述体区内设有源区,所述体区和JFET区之上设有栅氧化层，所述栅氧化层之上设有栅极,其特征在于，所述相邻的柱状掺杂区之间设有两种或两种以上不同宽度的间距，并且所述体区设有两种或两种以上的不同宽度。
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