[发明专利]氧化物薄膜晶体管阵列基板及制作方法与液晶显示面板

摘要

一种氧化物薄膜晶体管阵列基板及制作方法与液晶显示面板，包括：在衬底上形成图形化的栅极；在衬底上依次连续形成栅极绝缘层、氧化物半导体材料层和蚀刻阻挡材料层共三层薄膜；利用干蚀刻工艺对蚀刻阻挡材料层进行蚀刻图形化以在氧化物半导体材料层上对应该栅极的上方形成蚀刻阻挡层，此时氧化物半导体材料层未被蚀刻；在氧化物半导体材料层上形成一层源漏金属材料层；在源漏金属材料层上涂覆一层光阻层，对光阻层进行曝光和显影，利用显影留下的光阻层图案作为遮罩对源漏金属材料层进行第一次湿蚀刻以形成源极和漏极；再以光阻层图案作为遮罩对氧化物半导体材料层进行第二次湿蚀刻以在对应该栅极的上方形成氧化物半导体；去除该光阻层图案。

主权项

一种氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，该氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法包括如下步骤：在衬底(20)上形成图形化的栅极(21)；在该衬底(20)上依次连续形成栅极绝缘层(22)、氧化物半导体材料层(23)和蚀刻阻挡材料层(24)，其中该栅极绝缘层(22)覆盖在该栅极(21)上，该氧化物半导体材料层(23)覆盖在该栅极绝缘层(22)上，该蚀刻阻挡材料层(24)覆盖在该氧化物半导体材料层(23)上；利用干蚀刻工艺对该蚀刻阻挡材料层(24)进行蚀刻图形化以在该氧化物半导体材料层(23)上对应该栅极(21)的上方形成蚀刻阻挡层(24a)，此时该氧化物半导体材料层(23)未被蚀刻；在该氧化物半导体材料层(23)上形成一层源漏金属材料层(25)，其中该源漏金属材料层(25)覆盖该蚀刻阻挡层(24a)；在该源漏金属材料层(25)上涂覆一层光阻层(30)，对该光阻层(30)进行曝光和显影，利用显影留下的光阻层图案(30a)作为遮罩对该源漏金属材料层(25)进行第一次湿蚀刻以形成源极(251)和漏极(252)；再以该光阻层图案(30a)作为遮罩对该氧化物半导体材料层(23)进行第二次湿蚀刻以在对应该栅极(21)的上方形成氧化物半导体(23a)；去除该光阻层图案(30a)。