[发明专利]一种锗晶体应力消除方法在审
| 申请号： | 201610105897.3 | 申请日： | 2016-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN105603534A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 吕远芳 | 申请（专利权）人： | 吕远芳 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/08 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 072200 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锗晶体应力消除方法，包括如下步骤：首先对锗晶体进行清洗，然后放入退火炉，并抽真空至5Pa以内，然后充入惰性气体，最后控温退火，至室温，出炉。该工艺对产品应力消除良好，彻底解决了晶体加工成镜片后的面型变形问题，加工成镜片后的抗撞击能力有成倍提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 应力 消除 方法 | ||
【主权项】：
一种锗晶体应力消除方法，其特征在于，包括如下步骤：A、对锗晶体进行清洗；采用30℃的纯水进行表面清洗，然后用清洗机再次清洗，待锗晶体表面温度达到20‑30℃时，用酒精擦拭锗晶体表面；B、将晶体放入晶体退火炉内的坩埚，用真空泵将退火炉内的气压抽至5Pa以内，然后给退火炉充入惰性气体；C、采用欧陆表对退火炉内温度进行升温和降温控制，首先从常温以每分钟0.45℃的升温速度升至500℃，然后在00℃下恒温保持10小时，然后再以每分钟0.4℃的降温速度降至常温。
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