[发明专利]一种提升经时击穿测试有效性的方法有效
| 申请号： | 201610107358.3 | 申请日： | 2016-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN105742200B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 沈蕾;尹彬锋;邓娇娇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种提升经时击穿测试有效性的方法，设定芯片漏电流的数值范围，若量测得到的芯片的漏电流位于所述数值范围之内，则对该芯片进行经时击穿的测试；若量测得到的芯片的漏电流位于所述数值范围之外，则不对该芯片进行经时击穿的测试。本发明提供的方法仅需对芯片进行漏电流测试，即可筛除会对TDDB测试产生不良影响的芯片，因此在进行TDDB测试时，不会产生即使测试至最大量测时间，也无法得到测试结果的现象，从而避免耽误经时击穿的测试时间，也避免损坏经时击穿的测试装置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 击穿 测试 有效性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提升经时击穿测试有效性的方法，其特征在于，设定芯片漏电流的数值范围，设定芯片漏电流的数值范围的方法为统计晶圆上每一个芯片的漏电流数值，取所有测试得到的漏电流数值的平均值得到第一中间值，将漏电流数值中的最大值与第一中间值取平均值得到第一平均值，将漏电流数值中的最小值与第一中间值取平均值得到第二平均值，则所述数值范围的最小值即为第二平均值，所述数值范围的最大值即为第一平均值；或，将晶圆上的芯片均匀抽样并测试每个抽样芯片的漏电流数值，取所有测试得到的漏电流数值的平均值得到第二中间值，将漏电流数值中的最大值与第二中间值取平均值得到第三平均值，将漏电流数值中的最小值与第二中间值取平均值得到第四平均值，则所述数值范围的最小值即为第四平均值，所述数值范围的最大值即为第三平均值；若量测得到的芯片的漏电流位于所述数值范围之内，则对该芯片进行经时击穿的测试；若量测得到的芯片的漏电流位于所述数值范围之外，则不对该芯片进行经时击穿的测试。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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