[发明专利]改善闪存产品多晶硅表面缺陷检测灵敏度的方法及结构有效
| 申请号： | 201610107730.0 | 申请日： | 2016-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN105655270B | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 何理;许向辉;陈广龙;叶林 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/31;H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种改善闪存产品多晶硅表面缺陷检测灵敏度的方法及结构，本发明通过在多晶硅表面铺设BARC表面层，可以减小粗糙多晶硅表面对缺陷检测灵敏度的影响，同时通过缺陷检测程式参数调整至最大程度的提高多晶硅层缺陷检测能力，能够提高缺陷捕获能力和缺检测精度，可以提高缺陷检测灵敏度从传统方法的0.1微米到0.05微米的程度，能够有效监控flash产品多晶硅生长缺陷状况，帮助有效发现生产中出现的问题进而提高产品质量。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 闪存 产品 多晶 表面 缺陷 检测 灵敏度 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种改善闪存产品多晶硅表面缺陷检测灵敏度的方法，其特征在于，包括：在多晶硅生长之后再在其表面铺设BARC表面层；缺陷检测程式设定焦距使其对所述BARC表面层有最好的缺陷分辨效果；采用强入射光对多晶硅表面进行检测，并针对信噪比设定较小的阀值；其中，缺陷检测程式设定焦距使其对所述BARC表面层有最好的缺陷分辨效果，包括：缺陷检测程式根据所述BARC表面层的厚度调整焦距使多晶硅表面成像清晰。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
