[发明专利]一种解决HDP PSG制程厚度均一性持续跳高的方法有效
| 申请号： | 201610109837.9 | 申请日： | 2016-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN105590849B | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 吴以赢;侯多源;王科;韩晓刚;陈建维 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种解决HDP PSG制程厚度均一性持续跳高的方法，通过优化腔体清洁中隔离片与电子吸附装置表面的相对位置，在整个腔体清洁过程中使隔离片覆盖在电子吸附装置表面，防止了副产物在电子吸附装置边缘表面微孔吸附过程的发生，同时，还可配合氧气等离子对电子吸附装置表面进行更彻底的处理，可有效抑制整个电子吸附装置保养周期内晶圆厚度均一性不断变差的趋势，使得厚度均一性得到大幅改善，从而提高了产品的良率与稳定性、可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 解决 hdp psg 厚度 均一 持续 跳高 方法 | ||
【主权项】：
1.一种解决HDP PSG制程厚度均一性持续跳高的方法，其特征在于，包括：利用一腔体，所述腔体内设有电子吸附装置，用于吸附晶圆，所述电子吸附装置的表面具有密布的微孔以保持一定的粗糙度；在利用等离子体进行腔体清洁时，使用一隔离片覆盖在电子吸附装置表面，用以避免清洁副产物从隔离片与电子吸附装置表面之间进入并被所述微孔吸附，以使电子吸附装置表面的粗糙度得以保持；在腔体清洁后进行HDP PSG制程时，将晶圆吸附在电子吸附装置表面，利用所述微孔在电子吸附装置表面与晶圆之间产生的缝隙形成气体流道，通过控制在晶圆与电子吸附装置表面的缝隙之间流入氦气的量，对晶圆进行控温控制，以使晶圆边缘与中心之间的温度保持一致。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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