[发明专利]带有DBR层的太赫兹光电导天线外延结构及制备方法在审
| 申请号： | 201610110101.3 | 申请日： | 2016-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN105589119A | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 郭春妍;徐建星;倪海桥;汪韬;牛智川 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02B5/08 | 分类号： | G02B5/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种带有DBR层的太赫兹光电导天线外延结构及制备方法，其中带有DBR层的太赫兹光电导天线的外延结构，包括：一半绝缘衬底；一缓冲层，其制作在半绝缘衬底上；一DBR结构，其制作在缓冲层上；一低温层，其制作在DBR结构上。本发明通过增加并改变DBR结构材料的组成以及重复的周期数，从而提高外延层对光的吸收效率，提高太赫兹天线的辐射性能。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 dbr 赫兹 电导 天线 外延 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种带有DBR层的太赫兹光电导天线的外延结构，包括：一半绝缘衬底；一缓冲层，其制作在半绝缘衬底上；一DBR结构，其制作在缓冲层上；一低温层，其制作在DBR结构上。
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