[发明专利]氮气反应溅射制备CoCr/Sb极紫外多层膜人工晶体单色器及制作方法有效
| 申请号： | 201610111320.3 | 申请日： | 2016-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN105698929B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 朱京涛;朱圣明;金长利;朱运平 | 申请（专利权）人： | 苏州宏策光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G01J3/26 | 分类号： | G01J3/26 |
| 代理公司： | 北京华识知识产权代理有限公司 11530 | 代理人： | 赵永强 |
| 地址： | 215400 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种合金CoCr和金属Sb作为膜层材料的极紫外多层膜人工晶体单色器及其制作方法，在超光滑的硅片或玻璃基底上镀制打底层，再交替镀制CoCr、Sb膜层形成CoCr/Sb周期多层膜人工晶体，然后在周期多层膜人工晶体上镀制C或B4C作为保护层。CoCr，Sb材料在极紫外波段的光学常数合适，CoCr/Sb多层膜人工晶体单色器有优异的光学性能。本发明精确控制CoCr与Sb的膜层厚度比，通过在工作气体中添入氮气减小了多层膜人工晶体的界面粗糙度阻止了膜层之间的相互扩散。利用氮气反应溅射制备的CoCr/Sb多层膜人工晶体单色器适用于荧光检测、等离子体诊断等极紫外波段的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 氮气 反应 溅射 制备 cocr sb 紫外 多层 人工 晶体 单色 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种CoCr/Sb极紫外多层膜人工晶体单色器，其特征在于：该单色器包括基底(1)，其上面依次层叠有打底层(2)、CoCr/Sb周期多层膜人工晶体(5)及保护层(6)；所述CoCr/Sb周期多层膜人工晶体(5)由CoCr膜(3)和Sb膜(4)周期性构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州宏策光电科技有限公司，未经苏州宏策光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610111320.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种无线测温系统
- 下一篇：一种基于wifi的无线振动传感器
