[发明专利]共溅射Mo2C/B4C人工晶体单色器及其制作方法在审
| 申请号： | 201610111541.0 | 申请日： | 2016-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN105698930A | 公开（公告）日： | 2016-06-22 |
| 发明（设计）人： | 朱京涛;朱圣明;金长利;朱运平 | 申请（专利权）人： | 苏州宏策光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G01J3/26 | 分类号： | G01J3/26 |
| 代理公司： | 北京高航知识产权代理有限公司 11530 | 代理人： | 赵永强 |
| 地址： | 215400 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种共溅射制备化合物Mo2C和化合物B4C作为材料组合的人工晶体X光单色器及其制作方法，在超光滑的单晶硅片或玻璃基底上镀制打底层，在交替镀制共溅射Mo2C、B4C膜层形成Mo2C/B4C周期多层膜人工晶体。本发明采用高熔点、相态稳定的共溅射化合物Mo2C作为多层膜人工晶体的吸收层，制作出共溅射Mo2C/B4C周期多层膜人工晶体用作单色器，克服了单质与B4C等传统多层膜人工晶体的热稳定性差的缺点。同时，在X光波段的共溅射Mo2C的光学常数和Mo接近，共溅射Mo2C/B4C周期多层膜人工晶体单色器保持了单质与B4C多层膜人工晶体较好的光学性能。因此，兼顾光学性能和热稳定性，适用于同步辐射光源、X光荧光分析等工作温度高的X光应用。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 mo sub 人工 晶体 单色 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种共溅射Mo2C/B4C多层膜人工晶体单色器，其特征在于：该单色器包括基底(1)，其上面依次层叠有打底层(2)、共溅射Mo2C/B4C周期多层膜人工晶体(5)及保护层(6)。其中共溅射Mo2C/B4C周期多层膜人工晶体(5)由共溅射Mo2C膜(3)和B4C膜(4)周期性构成。
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