[发明专利]一种放射状金属纳米线-陶瓷复合薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201610112856.7 | 申请日： | 2016-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN105568228A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 邹友生;惠帅 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/58;C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 马鲁晋 |
| 地址： | 210094 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种放射状金属纳米线-陶瓷复合薄膜的制备方法，先利用电子束蒸发沉积一层8nm以下厚度的金属层；然后对该金属层进行快速退火处理，获得金属颗粒籽晶层；再以籽晶层为衬底，采用磁控溅射，共溅射金属靶和化合物陶瓷靶，并辅以脉冲偏压刻蚀，制备放射状的金属纳米线，并获得放射状金属纳米线-陶瓷复合薄膜。该方法具有大面积制备、无污染等优点；制备出的放射状金属纳米线的直径为几纳米，小于传统模板法制备出来的纳米线直径。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 放射 金属 纳米 陶瓷 复合 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种放射状金属纳米线‑陶瓷复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、利用电子束蒸发方法在衬底上沉积一层金属层；步骤2、在快速退火炉中对步骤1制备的金属层进行真空退火处理，获得金属颗粒籽晶层；步骤3、采用磁控溅射方法在沉积有金属颗粒籽晶层的衬底上进行共溅射，得到所述的放射状金属纳米线‑陶瓷复合薄膜。
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