[发明专利]一种半导体薄膜型器件的制备方法在审
申请号: | 201610113549.0 | 申请日: | 2016-02-29 |
公开(公告)号: | CN105679890A | 公开(公告)日: | 2016-06-15 |
发明(设计)人: | 张佰君;臧文杰;廖强;刘扬 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/32;H01L29/861;H01L21/329;H01L29/812;H01L21/338;H01L29/778;H01L21/335;H01L31/108;H01L31/18 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 林丽明 |
地址: | 510275 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体薄膜型器件的制备方法。通过在器件功能结构的表面涂覆树脂材料,固化后的树脂材料对薄膜器件起到支撑和保护,经化学机械抛光将预先制备的器件电极引出树脂之外,供器件工作连接。经物理或化学手段剥离掉器件的原始衬底材料,留下器件的功能结构,制备成薄膜器件。本发明提供了一种导热性能好,制造成本低的薄膜型器件制备方法,可实现水平和垂直两种导通模式薄膜型器件的制备,其在光电子器件及电子器件制造领域具有广泛的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 薄膜 器件 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体薄膜型器件的制备方法,其特征在于,通过在器件功能结构的表面涂覆树脂材料,固化后的树脂材料对薄膜器件起到支撑和保护作用,经化学机械抛光将预先制备的器件电极引出树脂之外,供器件工作连接,剥离掉器件的原始衬底材料,留下器件功能结构,形成薄膜器件。
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