[发明专利]一种半导体薄膜型器件的制备方法在审

专利信息
申请号: 201610113549.0 申请日: 2016-02-29
公开(公告)号: CN105679890A 公开(公告)日: 2016-06-15
发明(设计)人: 张佰君;臧文杰;廖强;刘扬 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/32;H01L29/861;H01L21/329;H01L29/812;H01L21/338;H01L29/778;H01L21/335;H01L31/108;H01L31/18
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 林丽明
地址: 510275 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种半导体薄膜型器件的制备方法。通过在器件功能结构的表面涂覆树脂材料,固化后的树脂材料对薄膜器件起到支撑和保护,经化学机械抛光将预先制备的器件电极引出树脂之外,供器件工作连接。经物理或化学手段剥离掉器件的原始衬底材料,留下器件的功能结构,制备成薄膜器件。本发明提供了一种导热性能好,制造成本低的薄膜型器件制备方法,可实现水平和垂直两种导通模式薄膜型器件的制备,其在光电子器件及电子器件制造领域具有广泛的应用前景。
搜索关键词: 一种 半导体 薄膜 器件 制备 方法
【主权项】:
一种半导体薄膜型器件的制备方法,其特征在于,通过在器件功能结构的表面涂覆树脂材料,固化后的树脂材料对薄膜器件起到支撑和保护作用,经化学机械抛光将预先制备的器件电极引出树脂之外,供器件工作连接,剥离掉器件的原始衬底材料,留下器件功能结构,形成薄膜器件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学,未经中山大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610113549.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top