[发明专利]一种类金刚石薄膜离子源中离子的引出装置有效
申请号: | 201610115575.7 | 申请日: | 2016-03-02 |
公开(公告)号: | CN105506577B | 公开(公告)日: | 2018-01-23 |
发明(设计)人: | 张心凤;郑杰;尹辉 | 申请(专利权)人: | 安徽纯源镀膜科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/50 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 230088 安徽省合肥市高新区创*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种类金刚石薄膜离子源中离子的引出装置,包括安装于保护外壳左端的隔板,隔板中部横向安装有工艺气体进气管,隔板左端面安装有内部挡板,内部挡板外周的隔板上固定有安装法兰,安装法兰上安装有离子源挡圈,内部挡板外侧间隔安装有工艺气体扩散板,工艺气体扩散板外周设有贯穿安装在内部挡板和隔板上的阳极,阳极与工艺气体扩散板之间钨丝。本发明的结构设计新颖,通过工艺气体扩散板及阳极的结构设计,可以有效提高工艺气体扩散均匀性,从而使薄膜的均匀性提高和沉积速率,而且二者可调节。 | ||
搜索关键词: | 种类 金刚石 薄膜 离子源 离子 引出 装置 | ||
【主权项】:
一种类金刚石薄膜离子源中离子的引出装置,包括安装于保护外壳左端的隔板,隔板中部横向安装有工艺气体进气管,隔板左端面安装有内部挡板,内部挡板外周的隔板上固定有安装法兰,其特征在于,所述的安装法兰上安装有离子源挡圈,内部挡板外侧间隔安装有工艺气体扩散板,工艺气体扩散板外周设有贯穿安装在内部挡板和隔板上的阳极,阳极与工艺气体扩散板之间设有钨丝;所述的阳极包括支座及引导管、保护筒,保护筒内孔中设有支座,支座为三根呈品字型分布的固定杆,固定杆贯穿保护筒,固定杆一端固定于内部挡板和隔板,另一端铰接安装有连杆,连杆端部连接于引导管一端的外壁上,引导管与工艺气体进气管同轴;支座相对钨丝的高出3~10mm,阳极偏压40~125V;所述的保护外壳内腔中设有位于工艺气体进气管出口端一侧的磁铁。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的