[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置

摘要

本申请涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置，形成具有低介电常数、高耐蚀刻性、高耐泄漏性的特性的薄膜。包括通过进行规定次数如下循环而在衬底上形成包含规定元素、氧、碳及氮的薄膜的工序，该循环包括如下工序：向衬底供给包含规定元素和卤素的原料气体的工序，向所述衬底供给由碳、氮及氢这3种元素构成的、且在1分子中碳原子的数量比氮原子的数量多的第一反应气体的工序，向所述衬底供给氮化气体作为第二反应气体的工序，和向所述衬底供给氧化气体作为第三反应气体的工序。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括通过进行规定次数如下循环而在衬底上形成包含规定元素、氧、碳及氮的薄膜的工序，该循环包括如下工序：向处理室内的衬底供给包含规定元素和卤素的原料气体的工序，向所述处理室内的所述衬底供给由碳、氮及氢这3种元素构成的、且在1分子中碳原子的数量比氮原子的数量多的第一反应气体的工序，向所述处理室内的所述衬底供给氮化气体作为第二反应气体的工序，和向所述处理室内的所述衬底供给氧化气体作为第三反应气体的工序，并且使供给所述第一反应气体的工序中的所述处理室内的压力比供给所述原料气体的工序中的所述处理室内的压力大。