[发明专利]用于用RF产生器操作以控制等离子体工艺的阻抗匹配电路在审
| 申请号： | 201610116444.0 | 申请日： | 2016-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN105938785A | 公开（公告）日： | 2016-09-14 |
| 发明（设计）人： | 阿列克谢·马拉霍塔诺夫;菲力克斯·科扎克维奇;约翰·帕特里克·霍兰德;布雷特·雅各布斯 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于用RF产生器操作以控制等离子体工艺的阻抗匹配电路，描述了一种阻抗匹配电路(IMC)。所述阻抗匹配电路包括第一电路。第一电路具有耦合到千赫(kHz)射频(RF)产生器的输入。IMC包括第二电路。所述第二电路具有耦合到低频兆赫(MHz)RF产生器的输入。IMC包括第三电路。所述第三电路具有耦合到高频MHz RF产生器的输入。IMC包括第一、第二和第三电路的耦合到RF传输线的输入的输出。第一电路和第二电路提供通过第一电路发送的kHz RF信号和通过第二电路发送的低频MHz RF信号之间的隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 rf 产生器 操作 控制 等离子体 工艺 阻抗匹配 电路 | ||
【主权项】：
1.一种阻抗匹配电路，其包括：第一电路，其包括第一多个调谐元件，所述第一电路具有耦合到千赫射频产生器的输入；第二电路，其具有第二多个调谐元件，所述第二电路具有耦合到低频兆赫射频产生器的输入，所述第二电路的所述第二多个调谐元件被布置在与所述第一电路的所述第一多个调谐元件邻近的方位；第三电路，其具有第三多个调谐元件，所述第三电路具有耦合到高频兆赫射频产生器的输入，所述第三电路的所述第三多个调谐元件被布置在与所述第二电路的所述第二多个调谐元件邻近的方位；所述第一电路、所述第二电路和所述第三电路的的输出，该输出耦合到RF传输线的输入，并且所述RF传输线的输出耦合到等离子体室的电极，其中，所述第一电路和所述第二电路提供通过所述第一电路反射的千赫射频信号和通过所述第二电路反射的低频兆赫射频信号之间的隔离，其中所述通过所述第一电路反射的千赫射频信号和所述通过所述第二电路反射的低频兆赫射频信号之间的隔离通过相比于在所述低频兆赫射频信号和通过所述第三电路反射的高频兆赫射频信号之间的界面的调谐元件的数量增大在所述千赫射频信号和所述低频兆赫射频信号之间的界面的调谐元件的数量来提供，其中，通过所述第一电路反射的所述千赫射频信号是从所述等离子体室和所述RF传输线朝向所述千赫射频产生器反射的RF信号的一部分，其中通过所述第二电路反射的所述低频兆赫射频信号是从所述等离子体室和所述RF传输线朝向所述低频兆赫射频产生器反射的RF信号的另一部分。
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