[发明专利]包括具有间隙或空隙的栅极间隔件的器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201610116599.4 | 申请日： | 2016-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN106252410B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 江国诚;蔡庆威;刘继文;梁英強 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明的实施例描述了包括具有间隙或空隙的栅极间隔件的器件和结构以及形成这种器件和结构的方法。根据一些实施例，该结构包括衬底、位于衬底上方的栅极堆叠件、位于衬底上方的接触件以及横向设置在栅极堆叠件与接触件之间的间隔件。间隔件包括第一电介质侧壁部分和第二电介质侧壁部分。空隙设置在第一电介质侧壁部分与第二电介质侧壁部分之间。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 具有 间隙 空隙 栅极 间隔 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：/n衬底，具有鳍；/n栅极堆叠件，位于所述鳍上方；/n接触件，位于所述衬底上方；以及/n间隔件，横向设置在所述栅极堆叠件与所述接触件之间，所述间隔件包括第一电介质侧壁部分和第二电介质侧壁部分，空隙设置在所述第一电介质侧壁部分与所述第二电介质侧壁部分之间，其中，所述间隔件延着所述鳍上方的所述栅极堆叠件的侧壁延伸并且横向环绕所述栅极堆叠件，所述间隔件紧邻所述接触件。/n
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