[发明专利]正极及蓄电装置的制造方法有效
| 申请号： | 201610118122.X | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN105679998B | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 栗城和贵 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01M4/04 | 分类号： | H01M4/04;H01M4/131;H01M4/1391;H01M4/525 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 童春媛;彭昶 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 所公开的发明的一个方式的目的是：抑制钴酸锂被分解而产生分解生成物；抑制钴酸锂中的氧与集电体起反应；以及得到充放电容量大的蓄电装置。一种蓄电装置的制造方法，包括如下步骤：在通过以钴酸锂为靶材且使用Ar作为溅射气体的溅射法在正极集电体上形成钴酸锂层时，在使钴酸锂的结晶呈c轴取向且不产生氧化钴的温度下加热该正极集电体，其中该正极集电体的加热温度为400℃以上且低于600℃。 | ||
| 搜索关键词： | 正极 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种蓄电装置，包括：衬底；在所述衬底上的正极集电体；在所述衬底上的负极集电体；在所述衬底上且在所述正极集电体上的正极活性物质层；覆盖所述正极活性物质层的固体电解质层；与所述固体电解质层及所述负极集电体接触的负极活性物质层；以及覆盖所述固体电解质层及所述负极活性物质层的保护膜，其中所述固体电解质层与所述正极集电体接触，其中所述正极活性物质层包含c轴取向的钴酸锂，并且所述钴酸锂具有垂直于所述正极集电体的表面的方向上的c轴取向。
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