[发明专利]一种氧化钨纳米花氢气传感器的制备方法有效
| 申请号： | 201610118627.6 | 申请日： | 2016-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN105699440B | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 罗坚义;李宇东;莫希伟;曾庆光 | 申请（专利权）人： | 五邑大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人： | 卢娟 |
| 地址： | 529000 广东省江门市蓬江*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氧化钨纳米花氢气传感器的制备方法，包括以下步骤：(1)在衬底上生长出氧化钨纳米线，且钨粉贴附在其表面上；(2)将衬底上的钨粉生长为氧化钨纳米花结构体；(3)将衬底加热退火后，在氧化钨纳米花结构体上掺杂贵金属，得到氢气传感器敏感材料；(4)在氢气传感器敏感材料两端制备电极，再引线封装，得到氧化钨纳米花氢气传感器。本发明提供的氧化钨纳米花氢气传感器的制备方法通过在衬底上生长出结构稳定、比表面积较高的氧化钨纳米花结构体，制备得到电学数据稳定、室温下响应灵敏度高的氢气传感器，且其制备方法简单、成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化钨 纳米 氢气 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氧化钨纳米花氢气传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在衬底上生长出氧化钨纳米线，且钨粉贴附在其表面上；(2)将衬底上的钨粉生长为氧化钨纳米花结构体；(3)将衬底加热退火后，在氧化钨纳米花结构体上掺杂贵金属，得到氢气传感器敏感材料；(4)在氢气传感器敏感材料两端制备电极，再引线封装，得到氧化钨纳米花氢气传感器；步骤(1)具体包括以下步骤：(1a)将钨粉铺在加热元表面上；(1b)将衬底倒扣在钨粉表面；(1c)在有氧环境中加热并保温，使衬底上生长出氧化钨纳米线，且钨粉贴附在氧化钨纳米线表面上；步骤(2)具体包括以下步骤：(2a)将衬底正面朝上，放在有氧的环境中；(2b)在5Pa的真空度、氧气流量为2.5sccm、氩气流量为200sccm条件下加热并保温衬底，使钨粉生长为氧化钨纳米花结构体。
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