[发明专利]一种基于磁电效应的铁电/铁磁复合薄膜的磁电存储元件在审
申请号: | 201610119109.6 | 申请日: | 2016-03-03 |
公开(公告)号: | CN105720188A | 公开(公告)日: | 2016-06-29 |
发明(设计)人: | 韩叶梅;张楷亮;王芳;曹荣荣;张志超 | 申请(专利权)人: | 天津理工大学 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12;C23C14/35;C23C14/18 |
代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人: | 侯力 |
地址: | 300384 天津市西青*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 一种基于磁电效应的铁电/铁磁复合薄膜的磁电存储元件,在Pt/Ti/SiO2/Si复合衬底上依次沉积铁电和铁磁薄膜制成叠层结构,具有压电效应的铁电薄膜化学结构式为0.5Ba(Zr0.2Ti0.8)O3‑0.5(Ba0.3Ca0.7)TiO3(BZT‑BCT),具有磁致伸缩效应的薄膜为Fe0.7Ga0.3;其制备方法是铁电陶瓷薄膜利用射频磁控溅射制备,铁磁薄膜利用直流磁控溅射制备。本发明的优点是:该存储元件具有非易失性、在外加电压时能够保持极化和磁化的状态,功耗低;该存储单元在室温下具有良好的铁电、压电和铁磁性能,在外加偏置电压为20V获得最大的电场控制磁电阻效应6%。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 磁电 效应 复合 薄膜 存储 元件 | ||
【主权项】:
一种基于磁电效应的铁电/铁磁复合薄膜的磁电存储元件,其特征在于:在Pt/Ti/SiO2/Si复合衬底上依次沉积铁电和铁磁薄膜制成叠层结构,其中复合衬底自下而上分别为Si,SiO2,Ti和Pt底电极,具有压电效应的铁电薄膜化学结构式为0.5Ba(Zr0.2Ti0.8)O3‑0.5(Ba0.3Ca0.7)TiO3(BZT‑BCT),厚度为200‑400nm,具有磁致伸缩效应的薄膜为Fe0.7Ga0.3,厚度为200‑400nm。
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