[发明专利]一种基于磁电效应的铁电/铁磁复合薄膜的磁电存储元件在审
| 申请号： | 201610119109.6 | 申请日： | 2016-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN105720188A | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | 韩叶梅;张楷亮;王芳;曹荣荣;张志超 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12;C23C14/35;C23C14/18 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种基于磁电效应的铁电/铁磁复合薄膜的磁电存储元件，在Pt/Ti/SiO2/Si复合衬底上依次沉积铁电和铁磁薄膜制成叠层结构，具有压电效应的铁电薄膜化学结构式为0.5Ba(Zr0.2Ti0.8)O3‑0.5(Ba0.3Ca0.7)TiO3(BZT‑BCT)，具有磁致伸缩效应的薄膜为Fe0.7Ga0.3；其制备方法是铁电陶瓷薄膜利用射频磁控溅射制备，铁磁薄膜利用直流磁控溅射制备。本发明的优点是：该存储元件具有非易失性、在外加电压时能够保持极化和磁化的状态，功耗低；该存储单元在室温下具有良好的铁电、压电和铁磁性能，在外加偏置电压为20V获得最大的电场控制磁电阻效应6％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 磁电 效应 复合 薄膜 存储 元件 | ||
【主权项】：
一种基于磁电效应的铁电/铁磁复合薄膜的磁电存储元件，其特征在于：在Pt/Ti/SiO2/Si复合衬底上依次沉积铁电和铁磁薄膜制成叠层结构，其中复合衬底自下而上分别为Si，SiO2，Ti和Pt底电极，具有压电效应的铁电薄膜化学结构式为0.5Ba(Zr0.2Ti0.8)O3‑0.5(Ba0.3Ca0.7)TiO3(BZT‑BCT)，厚度为200‑400nm，具有磁致伸缩效应的薄膜为Fe0.7Ga0.3，厚度为200‑400nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津理工大学，未经天津理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610119109.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
