[发明专利]光电二极管的制备方法和光电二极管

摘要

本发明提供了一种光电二极管的制备方法和光电二极管，其中，制备方法包括：在硅衬底的正侧形成第一离子掺杂区、分压环；在硅衬底的背侧形成第二离子掺杂区；在形成分压环的正侧依次形成氧化物隔离层和介质层；对第一离子掺杂区上方的指定区域的氧化物隔离层和介质层进行刻蚀，以形成金属接触孔；在形成金属接触孔的正侧形成金属层，并对金属层进行刻蚀，以形成金属电极；在形成金属电极后，去除介质层，以完成光电二极管的制备过程。通过本发明技术方案，减少了金属刻蚀过程对氧化物隔离层的污染和离子损伤，提升了光电二极管的器件可靠性。

主权项

1.一种光电二极管的制备方法，其特征在于，包括：在硅衬底的正侧形成第一离子掺杂区、分压环；在所述硅衬底的背侧形成第二离子掺杂区；在所述硅衬底的正侧依次形成氧化物隔离层和介质层；对所述第一离子掺杂区上方的指定区域的所述氧化物隔离层和所述介质层进行刻蚀，以形成金属接触孔；在形成所述金属接触孔的正侧形成金属层，并对所述金属层进行刻蚀，以形成金属电极；在形成所述金属电极后，去除所述介质层，以完成所述光电二极管的制备过程，其中，所述第一离子掺杂区的离子类型和所述分压环的离子类型相反，所述分压环的离子类型和所述第二离子掺杂区的离子类型相同。