[发明专利]晶圆热处理的方法有效
| 申请号： | 201610120562.9 | 申请日： | 2016-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN107154353B | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 肖德元;张汝京 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 金华 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种晶圆热处理的方法，将晶圆置于含有一无氧混合气体的环境中，对该晶圆的一表面进行一快速升温处理，接着将该晶圆置于一含有一含氧气体的环境中，对该晶圆的一表面进行一快速降温处理，使得晶圆的表面上形成一无缺陷区，获得在之后工艺中可以释放出以改善半导体器件的界面特性的氘，并控制体微缺陷的位置远离制造半导体器件的有源区。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆热处理的方法，其特征在于，包括：/n将至少一晶圆置于一含有一无氧混合气体的环境中，对该至少一晶圆的一表面进行一快速升温处理，使该至少一晶圆升温至一预定高温，该无氧混合气体包含氘气及至少一低活性气体，部分的所述氘气以间隙式杂质型态存在于所述晶圆中，以减缓半导体器件使用过程中的去钝化现象；及/n在该至少一晶圆升温至该预定高温之后，将该至少一晶圆置于一含有一含氧气体的环境中，对该至少一晶圆的一表面进行一快速降温处理；/n其中，该快速升温处理是以介于600℃/sec至800℃/sec的一温度梯度升温，该快速降温处理是以介于50℃/sec至150℃/sec之间的另一温度梯度从该预定高温降温，该预定高温是介于1200℃至1400℃之间。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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