[发明专利]互补纳米线半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201610120564.8 | 申请日： | 2016-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN107154428B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 金华 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种互补纳米线半导体器件及其制备方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有NMOS有源区域、PMOS有源区域及浅沟槽隔离区域；在NMOS有源区域和PMOS有源区域上选择性外延生长锗晶体材料，以形成第一多边体外延线；选择性蚀刻衬底，使该第一多边体外延线悬空于衬底上方；在NMOS有源区域上方的第一多边体外延线的周围区域选择性外延生长III‑V族半导体晶体材料，以形成第二多边体外延线；沉积介电材料于第一多边体外延线及第二多边体外延线，介电材料覆盖第一多边体外延线及第二多边体外延线；及沉积导电材料于介电材料，以形成包围第一多边体外延线及第二多边体外延线的栅极电极，其中第一多边体外延线作为第一纳米线，第二多边体外延线作为第二纳米线。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 纳米 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种互补纳米线半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：/n提供一衬底，该衬底上形成有NMOS有源区域、PMOS有源区域及浅沟槽隔离区域；/n在该NMOS有源区域的部分区域和该PMOS有源区域的部分区域上均外延生长锗晶体材料，以形成第一多边体外延线；/n部分蚀刻该衬底，使该第一多边体外延线悬空于该衬底上方；/n在该NMOS有源区域上方的该第一多边体外延线的周围区域部分外延生长III-V族半导体晶体材料，以形成第二多边体外延线；/n在该第一多边体外延线及该第二多边体外延线上沉积介电材料，该介电材料覆盖该第一多边体外延线及该第二多边体外延线；及/n在该介电材料上沉积导电材料，以形成包围该第一多边体外延线及该第二多边体外延线的栅极电极，其中该第一多边体外延线作为第一纳米线，该第二多边体外延线作为第二纳米线。/n
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