[发明专利]鳍状场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明提供一种鳍状场效应晶体管及其制备方法，其中，鳍状场效应晶体管由两道选择性蚀刻程序形成沟道，鳍状场效应晶体管包括衬底、浅沟槽隔离(STI)层、缓冲层、III‑V族材料、高介电常数介电层及导电材料。STI层形成于该衬底上，该STI层具有沟槽，缓冲层形成于该沟槽中的该衬底上，III‑V族材料形成于该缓冲层上，且该III‑V族材料具有多个垂直堆栈碗形的截面形状，高介电常数介电层形成于该STI层的上表面和该III‑V族材料周围，导电材料形成于该高介电常数介电层的周围，以作为栅极。

主权项

一种鳍状场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；沉积浅沟槽隔离层于该衬底上；沉积多个含氧介电层和多个绝缘层的交替层于该浅沟槽隔离层上；经由第一道蚀刻程序形成沟槽，该沟槽连通于该浅沟槽隔离层和该些含氧介电层和该些绝缘层的该交替层；经由第二道蚀刻程序选择性蚀刻该沟槽的内侧壁的该交替层中的该些绝缘层，使该沟槽的该内侧壁具有多个垂直堆栈碗形的截面形状；选择性外延生长缓冲层于该沟槽中的该衬底上；选择性外延生长III‑V族材料于该沟槽中的该缓冲层上；选择性移除该些含氧介电层和该些绝缘层的该交替层；沉积高介电常数介电层于该浅沟槽隔离层的上表面和该III‑V族材料的周围；及沉积导电材料于该高介电常数介电层的周围，以形成栅极。