[发明专利]电阻式随机存取存储器有效

专利信息
申请号: 201610120845.3 申请日: 2016-03-03
公开(公告)号: CN106876583B 公开(公告)日: 2021-04-06
发明(设计)人: 陈达;王炳琨;廖绍憬;许博砚;陈宜秀;沈鼎瀛;吴伯伦;林孟弘 申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 马雯雯;臧建明
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明提供一种电阻式随机存取存储器,包括下部电极、上部电极、可变电阻层、氧交换层以及侧壁保护层。下部电极设置于基底上。上部电极设置于下部电极上。可变电阻层设置于下部电极与上部电极之间。氧交换层设置于可变电阻层与上部电极之间。侧壁保护层,其为氧供应层,至少设置于氧交换层的侧壁。本发明提供的电阻式随机存取存储器,能够增进存储器元件的高温数据保持特性以及耐久性,并且能够增加存储器元件的产率以及稳定度。
搜索关键词: 电阻 随机存取存储器
【主权项】:
电阻式随机存取存储器,其特征在于,包括:下部电极,设置于基底上;上部电极,设置于所述下部电极上;可变电阻层,设置于所述下部电极与所述上部电极之间;氧交换层,设置于所述可变电阻层与所述上部电极之间,其中所述氧交换层、所述可变电阻层及所述下部电极的侧壁连续地连接;以及侧壁保护层,为氧供应层,至少设置于所述氧交换层的侧壁。
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