[发明专利]一种硅片抛光装置

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种硅片抛光装置。所述装置，包括：工艺处理腔，所述工艺处理腔用于抛光硅片；旋转盘，所述旋转盘设置在所述工艺处理腔内，所述硅片放置于所述旋转盘上；电机，所述电机设置于所述工艺处理腔下方，并与所述旋转盘相连，用于驱动所述旋转盘旋转；去离子水输送管，所述去离子水输送管用于向所述硅片表面喷射去离子水；氧化性气体输送管，所述氧化性气体输送管用于向所述硅片表面喷射氧化性气体；刻蚀成份输送管，所述刻蚀成份输送管用于向所述硅片表面喷射刻蚀性气体或者刻蚀性液体。使用本发明，硅片表面可以被抛光得非常平整，并且半导体芯片的制备成本将会下降，品质将会提升。

主权项

1.一种硅片抛光装置，其特征在于，包括：/n工艺处理腔，所述工艺处理腔用于抛光硅片；/n旋转盘，所述旋转盘设置在所述工艺处理腔内，所述硅片放置于所述旋转盘上；/n电机，所述电机设置于所述工艺处理腔下方，并与所述旋转盘相连，用于驱动所述旋转盘旋转；/n去离子水输送管，所述去离子水输送管用于向所述硅片表面喷射去离子水；/n氧化性气体输送管，所述氧化性气体输送管用于向所述硅片表面喷射氧化性气体；/n刻蚀成份输送管，所述刻蚀成份输送管用于向所述硅片表面喷射刻蚀性气体或者刻蚀性液体；/n当所述刻蚀成份输送管输送刻蚀性气体时，所述硅片抛光装置还包括：/n混合气体输送管，所述混合气体输送管一端分别与所述氧化性气体输送管和所述刻蚀成份输送管相连，另一端与所述工艺处理腔相连，用于向所述硅片表面喷射氧化性气体和刻蚀性气体的混合气体；/n混合器，所述氧化性气体输送管和所述刻蚀成份输送管分别通过所述混合器与所述混合气体输送管相连；/n所述去离子水输送管以通过所述硅片圆心的圆弧线为路径，做往复移动；/n所述混合气体输送管以通过所述硅片圆心的圆弧线为路径，做往复移动。/n