[发明专利]一种三氧化钼薄膜的制备方法及制备的光电器件

摘要

本发明公开了一种三氧化钼薄膜的制备方法及制备的光电器件，包含以下步骤：步骤a、将三氧化钼粉末置于石英舟中，并在石英舟的正上方平放清洗干净的SiO2/Si基底，将石英舟置于高温管式炉的石英管中并密封；步骤b、向石英管中通入惰性气体将管中的空气完全排净，调小惰性气体的气流量，并使高温管式炉升温至750‑850℃，待反应完全后自然降温；步骤c、待石英管的温度达到室温时取出样品，样品制备完成。通过上述方式，本发明能够在实验室条件下利用常压物理气相沉积方式制备三氧化钼薄膜，制作方式简单、便捷。

主权项

1.一种三氧化钼薄膜的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤a、将三氧化钼粉末置于石英舟中，并在石英舟的正上方平放清洗干净的SiO2/Si基底，将石英舟置于高温管式炉的石英管中并密封，清洗SiO2/Si基底时，首先用丙酮、异丙醇各超声20-30min，然后将SiO2/Si基底放入体积比为1:3的H2O2和H2SO4的混合溶液中清洗2-4h，最后用去离子水清洗；步骤b、向石英管中通入惰性气体将管中的空气完全排净，调小惰性气体的气流量，并使高温管式炉升温至750-850℃，待反应完全后自然降温，惰性气体为氩气或氮气，高温管式炉的升温速率为20℃/min—40℃/min；步骤c、待石英管的温度达到室温时取出样品，样品制备完成。