[发明专利]具有立方钙钛矿结构的半导体材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201610121585.1 | 申请日： | 2016-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN105742507B | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | 米启兮;史志方;张毅 | 申请（专利权）人： | 上海科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/46 | 分类号： | H01L51/46;H01L51/48;C30B29/54;C30B7/08;C30B7/14 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司31001 | 代理人： | 翁若莹 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有立方钙钛矿结构的半导体材料，其特征在于，其化学式为MA1‑xEAxPbI3，其中，MA+为甲铵阳离子，EA+为乙铵阳离子，所述的x的取值范围为0.09‑0.15和0.20‑0.24，不包含0.15和0.20；或者，其化学式为MA1‑yDMAyPbI3，其中，MA+为甲铵阳离子，DMA+为二甲铵阳离子，y的取值范围为0.10‑0.15。本发明的具有立方钙钛矿结构的半导体材料在室温下以完美立方结构稳定存在，这对于三碘合铅酸类钙钛矿材料是首次报道。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 立方 钙钛矿 结构 半导体材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有立方钙钛矿结构的半导体材料，其特征在于，其化学式为MA1‑xEAxPbI3，其中，MA+为甲铵阳离子，EA+为乙铵阳离子，所述的x的取值范围为0.09‑0.15和0.20‑0.24，不包含0.15和0.20；或者，其化学式为MA1‑yDMAyPbI3，其中，MA+为甲铵阳离子，DMA+为二甲铵阳离子，y的取值范围为0.10‑0.15。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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