[发明专利]一种InSb光导器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种InSb光导器件及其制备方法。InSb光导器件包括InSb光敏元件，InSb光敏元件通过扩散法掺杂有P型杂质。P型杂质为Zn或Cd。InSb光导器件制备过程包括：取InSb高纯晶体材料，通过切割、研磨、抛光、光刻成型制得厚度为5~15μm的高纯InSb光敏元件，然后采用扩散法向高纯InSb光敏元件内扩散掺杂P型杂质。具体地，将高纯InSb光敏元件和P型杂质：Sb源置于双温区真空石英管内，高纯InSb光敏元件区的温度为400~500℃，P型杂质：Sb源区的温度稍低。由于掺杂P型杂质，InSb光导器件为一种高性能的室温InSb光导器件，响应率较高，相比掺杂生长晶体具有较高产率。

主权项

一种InSb光导器件，包括InSb光敏元件，其特征在于：所述InSb光敏元件通过扩散法掺杂有P型杂质。