[发明专利]基于InAs材料的铁电场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201610124048.2 | 申请日： | 2016-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN105633169A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 张春福;韩根全;李庆龙;冯倩;张进城;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/20 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 田文英;王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种基于InAs材料的铁电场效应晶体管及其制备方法，解决现有Si基铁电栅介质场效应晶体管导通电流小和亚阈摆幅无法降低的问题。该晶体管包括：衬底1、源极2、沟道3、漏极4、绝缘电介质薄膜5、内部栅电极6、铁电栅介质层7、栅电极8；沟道3位于衬底1上方中央位置，源极3和漏极4位于在沟道3的两侧。绝缘电介质薄膜5、内部栅电极6、铁电栅介质层7及栅电极8依次由下至上竖直分布在沟道3的上方。本发明在场效应晶体管中引入InAs材料作为晶体管的沟道材料，使得该晶体管在较低工作电压的情况下能得到较低的亚阈摆幅和较高的开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 inas 材料 电场 效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于InAs材料的铁电场效应晶体管，包括：衬底(1)、源极(2)、沟道(3)、漏极(4)、绝缘电介质薄膜(5)、内部栅电极(6)、铁电栅介质层(7)、栅电极(8)；所述的沟道(3)位于衬底(1)上方中央位置，源极(2)和漏极(4)分布在沟道(3)的两侧；所述的绝缘电介质薄膜(5)、内部栅电极(6)、铁电栅介质层(7)及栅电极(8)依次由下至上竖直分布在沟道(3)的上方；其特征在于：所述的源极(2)、沟道(3)、漏极(4)均采用InAs材料。
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