[发明专利]基于InAs材料的铁电隧穿场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201610124244.X | 申请日： | 2016-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN105576033A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 韩根全;张春福;彭悦;郝跃;张进城;冯倩 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/20 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 田文英;王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种基于InAs材料的铁电隧穿场效应晶体管及其制备方法，解决了现有隧穿场效应晶体管导通电流小和亚阈摆幅无法降低的问题。该铁电隧穿场效应晶体管包括：衬底1、源极2、沟道3、漏极4、绝缘电介质薄膜5、内部栅电极6、铁电栅介质层7、栅电极8。所述源极2、沟道3和漏极4，在衬底1上依次由下至上竖直分布；绝缘电介质薄膜5、内部栅电极6、铁电栅介质层7及栅电极8由内而外环绕覆盖在沟道3的四周。本发明在隧穿场效应晶体管的沟道中引入InAs材料，并在晶体管栅介质中加入了铁电材料，使得该晶体管具有亚阈摆幅小、开关速度高和功耗低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 inas 材料 铁电隧穿 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于InAs材料的铁电隧穿场效应晶体管，包括：衬底(1)、源极(2)、沟道(3)、漏极(4)、绝缘电介质薄膜(5)、内部栅电极(6)、铁电栅介质层(7)、栅电极(8)；所述源极(2)、沟道(3)和漏极(4)，在衬底(1)上依次由下至上竖直分布，在源极与沟道之间形成隧穿结；所述的绝缘电介质薄膜(5)、内部栅电极(6)、铁电栅介质层(7)及栅电极(8)由内而外环绕覆盖在沟道(3)的四周；其特征在于：所述的源极(2)、沟道(3)采用InAs材料，漏极(4)采用In0.53Ga0.47As材料或InAs材料。
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