[发明专利]沟槽绝缘栅双极型晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201610124586.1 | 申请日： | 2016-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN105789269A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 张杰;肖彩华 | 申请（专利权）人： | 上海源翌吉电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人： | 王松 |
| 地址： | 201205 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种沟槽绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，所述沟槽绝缘栅双极型晶体管IGBT包括：N‑型基区、P型基区、N+缓冲层、背P+发射区、N+集电区、栅氧化层、多晶栅、集电极、发射极、栅电极、P+型基区、载流子存储层、P‑型浮空层；所述N‑型基区、N+缓冲层、背P+发射区、集电极自上而下依次设置；所述N‑型基区的上部周边设有槽体，槽体内设置P‑型浮空层。本发明提出的沟槽绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，在传统的沟槽IGBT结构中引入载流子存储层存储层可以增大电子扩散，避免电流集中，增强电导调制；同时在沟槽栅的下端又附加了一层P‑型浮空层，可以起到分压的作用，提到器件的耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述沟槽绝缘栅双极型晶体管IGBT包括：N‑型基区(1)、P型基区(2)、N+缓冲层(3)、背P+发射区(4)、N+集电区(5)、栅氧化层(6)、多晶栅(7)、集电极(8)、发射极(9)、栅电极(10)、P+型基区(11)、载流子存储层(12)、P‑型浮空层(13)；所述N‑型基区(1)、N+缓冲层(3)、背P+发射区(4)、集电极(8)自上而下依次设置；所述N‑型基区(1)的上部周边设有槽体，槽体内设置P‑型浮空层(13)；所述N‑型基区(1)的上方的中部自下而上依次设置载流子存储层(12)、P型基区(2)；P型基区(2)上方设置P+型基区(11)、N+集电区(5)，P+型基区(11)设置于N+集电区(5)内，被N+集电区(5)包围；所述P+型基区(11)上方设置栅电极(10)，栅电极(10)分别与P+型基区(11)、N+集电区(5)相接；所述P‑型浮空层(13)上方设置所述栅氧化层(6)，栅氧化层(6)的主体外侧周边设置多晶栅(7)，多晶栅(7)与P‑型浮空层(13)不接触；所述N+集电区(5)、P型基区(2)、载流子存储层(12)设置于栅氧化层(6)的主体内侧；所述多晶栅(7)上方设置发射极(9)，发射极(9)与多晶栅(7)、栅氧化层(6)接触。
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