[发明专利]对阻挡膜进行边缘密封的方法在审
申请号: | 201610127416.9 | 申请日: | 2009-12-03 |
公开(公告)号: | CN105609659A | 公开(公告)日: | 2016-05-25 |
发明(设计)人: | 楚西;保罗·E·伯罗斯;艾里克·S·马斯特;彼得·M·马丁;戈登·L·格拉夫;马克·E·格罗斯;查尔斯·C·博纳姆;温蒂·D·贝纳特;迈克·G·霍尔;马丁·菲利普·罗森布拉姆 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L23/00 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了制造边缘密封的包封环境敏感器件的方法。一种方法包括:在基底上设置具有接触件的环境敏感器件;与环境敏感器件相邻地沉积去耦层,去耦层具有不连续区域并且覆盖环境敏感器件而不覆盖接触件,利用印刷工艺沉积去耦层;与去耦层相邻地沉积第一阻挡层,第一阻挡层具有比去耦层的不连续区域大的第一区域,第一阻挡层具有覆盖去耦层和接触件的第二区域,去耦层密封在第一阻挡层的边缘和基底的边缘之间或者密封在第一阻挡层的边缘和可选的第二阻挡层的边缘之间;从接触件去除第一阻挡层的第二区域。 | ||
搜索关键词: | 阻挡 进行 边缘 密封 方法 | ||
【主权项】:
一种制造边缘密封的包封环境敏感器件的方法,所述方法包括以下步骤:在基底上设置具有接触件的环境敏感器件;与环境敏感器件相邻地沉积去耦层,去耦层具有不连续区域并且覆盖环境敏感器件而且在包封环境敏感器件的步骤期间不覆盖接触件,利用印刷工艺沉积去耦层;与去耦层相邻地沉积第一阻挡层,第一阻挡层具有比去耦层的不连续区域大的第一区域并且覆盖去耦层,第一阻挡层具有覆盖接触件的第二区域,去耦层被密封在第一阻挡层的边缘和基底的边缘之间或者密封在第一阻挡层的边缘和可选的第二阻挡层的边缘之间;从接触件去除第一阻挡层的第二区域,其中,去耦层的沉积和第一阻挡层的沉积是在不存在掩模的情况下完成的,其中,阻挡层包括无机材料,去耦层包括聚合物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610127416.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择