[发明专利]一种干法刻蚀装置及方法有效
申请号: | 201610127606.0 | 申请日: | 2016-03-07 |
公开(公告)号: | CN105529239B | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 魏钰;袁广才;王东方;周斌 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/3065 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种干法刻蚀装置及方法。所述装置包括真空刻蚀腔、同轴圆波导、用于承载待刻蚀基板的承载件、与同轴圆波导连接的同轴微波源;其中:所述同轴圆波导设置于所述真空刻蚀腔内部,用于传输所述同轴微波源产生的电磁波以激发等离子体,使得所述等离子体刻蚀设位于同轴圆波导下方的待刻蚀基板。所述方法采用本发明任意一项实施例所提供的干法刻蚀装置进行刻蚀;包括:调整所述待刻蚀基板在所述同轴圆波导下方的刻蚀时间,使得所述待刻蚀基板的刻蚀深度达到设定值。 | ||
搜索关键词: | 圆波导 同轴 刻蚀基板 干法刻蚀装置 刻蚀 同轴微波源 刻蚀腔 等离子体 等离子体刻蚀 电磁波 承载件 承载 传输 激发 | ||
【主权项】:
1.一种干法刻蚀装置,其特征在于,包括真空刻蚀腔、同轴圆波导、用于承载待刻蚀基板的承载件、与同轴圆波导连接的同轴微波源;其中:所述同轴圆波导设置于所述真空刻蚀腔内部,用于传输所述同轴微波源产生的电磁波以激发等离子体,使得所述等离子体刻蚀位于同轴圆波导下方的待刻蚀基板;还包括至少一个气压缓冲腔,设置于所述真空刻蚀腔的入口和/或出口位置;气压缓冲腔用于向所述待刻蚀基板提供一个小于正常大气压、高于真空气压的过渡气压;还包括轨道,所述轨道设置在所述承载件的下方,用于将待刻蚀基板从所述真空刻蚀腔的入口进入所述同轴圆波导下方的刻蚀区域,并将刻蚀完成后的所述待刻蚀基板传输到所述真空刻蚀腔的出口;所述轨道下方设置有衬底电极;该衬底电极与一负电压连接,用于产生电场。
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