[发明专利]一种氧化物‑金属多层膜背接触晶体硅太阳电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种氧化物‑金属多层膜背接触晶体硅太阳电池，包括晶体硅片，所述晶体硅片的前表面和背表面设有钝化层，背表面钝化层上设有发射极、发射极金属电极和基区金属电极，发射极由第一氧化物薄膜、金属薄膜和第二氧化物薄膜组成；其中第一氧化物薄膜或第二氧化物薄膜为WO3薄膜、NiO薄膜或V2O5薄膜，金属薄膜为Ag薄膜、Au薄膜、Pd薄膜、Cu薄膜、Ni薄膜、Mo薄膜、W薄膜或Al薄膜；该电池前表面无金属栅线遮挡，原材料无易燃易爆有毒材料，环境友好；整个制备过程不需要光刻、激光等昂贵的设备和复杂的工艺流程，无需高温，工艺步骤简单，适合大规模生产；不需要使用透明导电薄膜，成本低廉，具有广阔的应用前景。

主权项

一种氧化物‑金属多层膜背接触晶体硅太阳电池，包括晶体硅片，所述晶体硅片的前表面和背表面设有钝化层，其特征是：所述背表面钝化层上设有发射极、发射极金属电极和基区金属电极，所述发射极由第一氧化物薄膜、金属薄膜和第二氧化物薄膜组成；其中第一氧化物薄膜或第二氧化物薄膜为WO3薄膜、NiO薄膜或V2O5薄膜，所述金属薄膜为Ag薄膜、Au薄膜、Pd薄膜、Cu薄膜、Ni薄膜、Mo薄膜、W薄膜或Al薄膜。