[发明专利]晶体管、晶体管制造方法以及衬底有效
| 申请号： | 201610129950.3 | 申请日： | 2010-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN105789029B | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 原田真;佐佐木信;西口太郎;冲田恭子;和田圭司;宫崎富仁 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20;H01L29/04;H01L21/336;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及晶体管、晶体管制造方法以及衬底。公开了一种半导体器件(1)，其具有半导体层(21‑25)和衬底(2)。半导体层(21‑25)由碳化硅制成，并且包括电流路径的至少一部分。衬底(2)具有用于支承半导体层(21‑25)的第一表面(2A)和面对第一表面(2A)的第二表面(2B)。另外，衬底(2)由具有4H型单晶结构的碳化硅制成。并且，衬底(2)具有在光致发光测量时，在500nm附近波长处的峰强度与在390nm附近波长处的峰强度的比率为0.1或更小的物理特性。所公开的方法得到具有低导通电阻的半导体器件(1)。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 制造 方法 以及 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种具有电流路径的晶体管，包括：半导体层(21‑25)，所述半导体层(21‑25)构成所述电流路径的至少一部分；以及衬底(2)，所述衬底(2)具有支承所述半导体层的第一表面(2A)和与所述第一表面相反的第二表面(2B)，所述衬底(2)由具有4H型单晶结构的碳化硅制成，并且在所述第二表面(2B)具有在光致发光测量中在500nm附近波长处的峰强度与在390nm附近波长处的峰强度的比率为0.1或更小的物理特性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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