[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法

摘要

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，通过刻蚀部分厚度的第二层间介质层，在相邻鳍部之间、以及相邻栅极结构之间的层间介质层和侧墙上方形成介质层凸起；形成覆盖介质层凸起表面的保护层；然后形成覆盖层间介质层和保护层的平坦层，在平坦层上形成具有沟槽图形开口的掩膜层，沟槽图形开口的位置对应相邻的栅极结构之间的区域；以掩膜层和保护层为掩膜向下刻蚀平坦层和层间介质层，形成贯穿层间介质层的接触孔，接触孔的底部位于相邻栅极结构之间；去除所述掩膜层和平坦层。该方法能避免在沟槽图形开口的延伸方向上相邻鳍部上对应的接触孔之间穿通。

主权项

1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：/n提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍部、横跨所述鳍部的栅极结构、位于栅极结构两侧侧壁的侧墙、以及覆盖所述栅极结构和侧墙的层间介质层，所述层间介质层包括覆盖所述侧墙侧壁的第一层间介质层和位于第一层间介质层、栅极结构和侧墙上的第二层间介质层；/n刻蚀部分厚度的第二层间介质层，形成介质层凸起，所述介质层凸起位于相邻鳍部之间、以及相邻栅极结构之间的层间介质层和侧墙的上方；/n形成覆盖所述介质层凸起顶部及侧壁表面的保护层后，形成覆盖所述层间介质层和保护层的平坦层；/n在所述平坦层上形成具有沟槽图形开口的掩膜层，所述沟槽图形开口的位置对应相邻的栅极结构之间的区域；/n以所述掩膜层和保护层为掩膜向下刻蚀平坦层和层间介质层，形成贯穿所述层间介质层的接触孔，所述接触孔的底部位于相邻栅极结构之间；/n去除所述掩膜层和平坦层。/n