[发明专利]多晶硅金属污染防止方法和被多晶硅接触的构件在审

专利信息
申请号: 201610131592.X 申请日: 2010-09-17
公开(公告)号: CN105752990A 公开(公告)日: 2016-07-13
发明(设计)人: 近藤学;吉村礼二 申请(专利权)人: 株式会社德山
主分类号: C01B33/03 分类号: C01B33/03;C30B35/00
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种通过在与多晶硅接触的金属基材的表面上设置树脂制保护罩而防止多晶硅的金属污染的方法和被多晶硅接触的构件,能够可靠地防止由该保护罩的磨损引起的金属的表面暴露。本发明的通过在多晶硅所接触的金属基材的表面上设置树脂制保护罩而防止由多晶硅与金属基材的接触引起的多晶硅的金属污染的方法的特征在于,重叠地设置两片树脂片材(3a、3b)作为树脂制保护罩(3)。
搜索关键词: 多晶 金属 污染 防止 方法 接触 构件
【主权项】:
一种多晶硅金属污染防止方法,其通过在多晶硅所接触的金属基材的表面上设置树脂制保护罩而防止由多晶硅与金属基材的接触引起的多晶硅的金属污染,其特征在于,重叠地设置两片树脂片材作为上述树脂制保护罩,使用彼此柔软性不同的树脂片材作为上述两片树脂片材,并将柔软性高的树脂片材配置于下侧,使用树脂制螺栓将上述树脂制保护罩以使两片树脂片材拆卸自如的方式安装于金属基材的表面,在配置于上侧的树脂片的供树脂制螺栓安装的部分的上表面,为了不使该树脂制螺栓的头部突出而形成有凹部。
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