[发明专利]高纯度二氧化硅的工业化生产方法有效

专利信息
申请号: 201610131771.3 申请日: 2016-03-09
公开(公告)号: CN105585017B 公开(公告)日: 2017-12-15
发明(设计)人: 应盛荣;姜战;应悦 申请(专利权)人: 衢州市鼎盛化工科技有限公司
主分类号: C01B33/12 分类号: C01B33/12
代理公司: 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙)11411 代理人: 张清彦
地址: 324002 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提出了一种高纯度二氧化硅的工业化生产方法,包括以下步骤1)以工业氟硅酸为原料,与氧化剂在蒸馏塔釜内进行反应和蒸馏,得到纯品氟硅酸;2)以工业液氨为原料,将其通过精制塔得到纯品气氨;3)将步骤1)得到的纯品氟硅酸与步骤2)得到的纯品气氨在氨化反应釜内反应,生成得到二氧化硅固体和氟化铵溶液,将二氧化硅固体通过固液分离设备分离出来得到二氧化硅粗品;4)将步骤3)得到的二氧化硅粗品依次进行水洗、酸洗、水洗与煅烧,得到高纯度二氧化硅。该方法制备得到的二氧化硅纯度可以达到99.9999%以上,且能够规模化生产。
搜索关键词: 纯度 二氧化硅 工业化 生产 方法
【主权项】:
一种高纯度二氧化硅的工业化生产方法,其特征在于,包括以下步骤:1)以工业氟硅酸为原料,与氧化剂在蒸馏塔釜内进行反应和蒸馏,得到纯品氟硅酸;2)以工业液氨为原料,将其通过精制塔得到纯品气氨;3)将步骤1)得到的纯品氟硅酸与步骤2)得到的纯品气氨在氨化反应釜内反应,得到二氧化硅固体和氟化铵溶液,将二氧化硅固体通过固液分离设备分离出来得到二氧化硅粗品;4)将步骤3)得到的二氧化硅粗品依次进行水洗、酸洗、水洗与煅烧,得到高纯度二氧化硅;其中,所述步骤3)中氨化反应的温度为55℃~115℃,反应压力为0.06MPa~0.35MPa,所述步骤4)的煅烧温度为350℃~850℃。
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