[发明专利]晶片级发光二极管封装件及其制造方法有效
申请号: | 201610132965.5 | 申请日: | 2011-09-05 |
公开(公告)号: | CN105789235B | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 徐源哲;葛大成 | 申请(专利权)人: | 首尔半导体株式会社 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/38;H01L33/46;H01L25/075;H01L33/00;H01L33/20;H01L33/50;H01L33/62 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;尹淑梅 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明的示例性实施例提供了一种晶片级发光二极管(LED)封装件及其制造方法。所述LED封装件包括:半导体堆叠件,包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层;多个接触孔,布置在第二导电型半导体层和有源层中,接触孔暴露第一导电型半导体层;第一凸块,布置在半导体堆叠件的第一侧上,第一凸块通过多个接触孔电连接到第一导电型半导体层;第二凸块,布置在半导体堆叠件的第一侧上,第二凸块电连接到第二导电型半导体层以及保护绝缘层,覆盖半导体堆叠件的侧壁。 | ||
搜索关键词: | 晶片 发光二极管 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管封装件,所述发光二极管封装件包括:第一发光单元和第二发光单元,第一发光单元和第二发光单元中的每个发光单元包括第一半导体层、有源层和第二半导体层,其中,每个发光单元的第二半导体层和有源层提供暴露每个发光单元的第一半导体层的接触区域;第一保护绝缘层,覆盖每个发光单元的侧壁和顶表面;连接件,位于第一发光单元和第二发光单元的第一侧上并且使两个相邻的发光单元彼此电连接;第一凸块,布置在第一发光单元和第二发光单元的第一侧上并且通过第一发光单元的接触区域电连接到第一半导体层;第二凸块,布置在第一发光单元和第二发光单元的第一侧上并且电连接到第二发光单元的第二半导体层;第一接触层,布置在暴露的第一半导体层上;第二接触层,布置在第二半导体层上;以及第二保护绝缘层,布置在第一凸块与第一接触层之间,其中,第一半导体层包括粗糙的表面,其中,当以发光二极管封装件的出光侧为上侧时,连接件直接布置在第二保护绝缘层下方,其中,连接件通过位于第一发光单元的第一开口和位于第二发光单元的第二开口使第一接触层和第二接触层彼此电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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