[发明专利]一种垂直LED芯片结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201610133504.X | 申请日： | 2016-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN105742445B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 吕孟岩;徐慧文;李起鸣 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/00;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种垂直LED芯片结构及其制备方法，所述制备方法包括：1）提供生长衬底，于所述生长衬底上形成外延层；2）于所述外延层上形成金属电极层；3）对所述生长衬底、外延层和金属电极层进行退火处理，以增强金属电极层与外延层之间的粘附性，并降低或消除所述金属电极层与外延层的内应力；4）于退火后的金属电极层上形成键合衬底。本发明用于解决现有技术中大尺寸LED芯片垂直制程中，键合后的晶圆内应力大，极易造成键合衬底破裂或形变严重，并对外延层结构及性能产生恶劣的微观影响直接导致严重漏电，致使成品率极低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 led 芯片 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直LED芯片结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：1)提供生长衬底，于所述生长衬底上形成外延层；2)于所述外延层上形成金属电极层，所述金属电极层包括依次形成于所述外延层上的电流扩展层、反射层及金属键合层，所述金属键合层的材料为Au、Sn或AuSn合金；3)对所述生长衬底、外延层和金属电极层进行退火处理，以增强金属电极层与外延层之间的粘附性，并降低或消除所述金属电极层与外延层的内应力；4)于退火后的金属电极层上形成键合衬底。
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